Кристалоквазіхімічний аналіз дефектної підсистеми легованих кристалів PbTe:Sb та твердих розчинів Pb-Sb-Te
DOI:
https://doi.org/10.15330/jpnu.1.1.55-63Ключові слова:
телурид свинцю, сурми, домішка, твердий розчин, точкові дефекти, криста¬лок¬вазіхімічна формулаАнотація
У рамках кристалоквазіхімічного формалізму уточнено моделі точкових дефектів у кристалах системи Pb-Sb-Te. На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул пояснено амфотерну дію домішки у легованих сурмою кристалах PbTe:Sb. Досліджено механізми утворення твердого розчину РbТе-Sb2Те3: заміщення йонами стибію позицій плюмбуму з утворенням катіонних вакансій (I) або нейтральних атомів телуру в міжвузлі (II). Визначені домінуючі точкові дефекти у легованих кристалах PbTe:Sb і твердих розчинах РbТе-Sb2Те3 на основі р-PbTe. Розраховано залежності концентрації домінуючих точкових дефектів, носіїв заряду і холлівської концентрації від вмісту легуючої сполуки та величини початкового відхилення від стехіометрії в основний матриці.