Isochronous and isothermal annealing of defects

Я.П. Салій

doi:10.15330/pcss.25.4.747-749

Автор(и)

Я.П. Салій Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.25.4.747-749

Ключові слова:

відпал, дефекти, бімолекулярна реакція, апроксимація, GaP

Анотація

Розглянуто закономірності ізотермічного та ізохронного дискретного та безперервного відпалу матеріалу з постійною швидкістю на прикладі мономолекулярної реакції та бімолекулярної рекомбінації пар Френкеля. Отримано параметри процесу для ізохронного відпалу радіаційних дефектів після нейтронного опромінення GaP.

Посилання

V.V. Gann, A.V. Volobuev. Mathematical simulation of processes of diffusion and annealing of defects. KhFTI Issues of atomic science and technology. Series Physics of radiation damage and radiation materials science, 2(7), 117 (1984).

V.L. Vinetskii, G.A. Kholodar, Quasichemical reactions involving point defects in Irradiated Semiconductors, Physics of Radiation Effects in Crystals, Elsevier Science Publishers B.V, 344 (1986)

V.L. Vynetskii, G.A. Kholodar, Radiation physics of semiconductors (Scientific opinion, Kyiv, 1979)

O. Konoreva, Zh. Pavlenko, M. Pinkovs'ka, V. Tartachnyk, Influence of the structure defects on optical absorption in gallium phosphide influence of radiation defects, induced with reactor's, Bulletin of NTUU "KPI". Instrumentation series, 38, 78 (2009).