Новосядлий, С.П., і А.М. Босацький. «Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС». Фізика і хімія твердого тіла, вип. 16, вип. 1, Березень 2015, с. 221-9, doi:10.15330/pcss.16.1.221-229.